Profesorul Fan Fengjia de la Școala de Fizică a Universității de Știință și Tehnologie din China și profesorul Shen Huaibin de la Universitatea Henan au lucrat împreună pentru a utiliza tehnologia EETA pentru a studia în profunzime aspectele științifice cheie ale diodelor emițătoare de lumină cu puncte cuantice pe bază de fosfură de indiu verde.
Ei au atins cu succes o eficiență cuantică externă maximă (EQE) de 26,68% pentru LED-urile verzi cu puncte cuantice pe bază de fosfură de indiu, o luminozitate de peste 270.000 cd/m2 și o durată de viață T95 (luminozitatea scade la 95% din valoarea inițială) de 1.241 de ore la o luminozitate inițială de 1.000 cd/m2, stabilind un nou record mondial.
Principiul absorbției tranzitorii excitate electric și aspecte științifice cheie ale LED-urilor cu puncte cuantice pe bază de fosfură de indiu
Cele mai recente cercetări realizate de profesorul Fan Fengjia și echipa sa de cercetare arată că principalul motiv pentru performanța scăzută a LED-urilor actuale verzi cu puncte cuantice pe bază de fosfură de indiu este injecția insuficientă de electroni și scurgerea severă de electroni.
În acest scop, echipa de cercetare a propus un design cu barieră joasă și largă ("h) care nu numai că a îmbunătățit eficiența injecției de electroni, dar a și suprimat eficient fenomenul de scurgere. Prin această optimizare, echipa de cercetare a stabilit cu succes un nou record mondial.
Rezultatele cercetării relevante au fost publicate în revista Nature sub titlul "QD-LED verde eficient pe bază de InP prin controlul injecției și scurgerilor de electroni, marcând un progres important în tehnologia LED-urilor cu puncte cuantice netoxice.
